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PIN三節非晶硅、非晶硅鍺薄膜太陽能電池原理

時間:2023-06-16來源:www.dongmanwang.net單晶硅和多晶硅的區別太陽能電池原理太陽能電池

PIN三節非晶硅、非晶硅鍺薄膜太陽能電池工作原理的基礎是半導體PN結的光生伏打效應。


PIN三節非晶硅、非晶硅鍺薄膜太陽能電池原理


所謂光生伏打效應就是當物體受到光照時,物體內的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的一種效應。當太陽光或其他光照射半導體的PN結時,就會在PN結的兩邊出現電壓,叫做光生電壓。光生伏打效應: 當光照射到pn結上時,產生電子--空穴對,在半導體內部P-N結附近生成的載流子沒有被復合而到達空間電荷區,受內部電場的吸引,電子流入n區,空穴流入p區,結果使n區儲存了過剩的電子,p區有過剩的空穴。它們在p-n結附近形成與勢壘方向相反的光生電場。光生電場除了部分抵消勢壘電場的作用外,還使p區帶正電,N區帶負電,在N區和P區之間的薄層就產生電動勢,這就是光生伏特效應。當把能量加到純硅中時(比如以熱的形式),它會導致幾個電子脫離其共價鍵并離開原子。每有一個電子離開,就會留下一個空穴。然后,這些電子會在晶格周圍四處游蕩,尋找另一個空穴來安身。這些電子被稱為自由載流子,它們可以運載電流。將純硅與磷原子混合起來, 只需很少的能量即可使磷原子(最外層五個電子)的某個“多余”的電子逸出,當利用磷原子摻雜時,得到的硅被成為N型(“n”表示負電),太陽能電池只有一部分是N型。另一部分硅摻雜的是硼,硼的最外電子層只有三個而不是四個電子,這樣可得到P型硅。P型硅中沒有自由電子(“p“表示正電),但是有自由空穴??昭▽嶋H是電子離開造成的,因此它們帶有相反(正)的電荷。它們像電子一樣四處移動。電場是在N型硅和P型硅接觸的時候形成的。在交界處,它們確實會混合形成一道屏障,使得N側的電子越來越難以抵達P側。最終會達到平衡狀態,這樣我們就有了一個將兩側分開的電場。


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